羅姆第三代SiC MOSFET功率元器件為溝槽式結構,具有高速開關、低導通電阻的特點,寄生二極管的反向恢復工作特性更佳、功率損耗大幅降低,開關損耗降低73%??蓮V泛應用于太陽能功率調節器、電源、車載(EV/PHEV)用充電器和DC/DC轉換器等,助力工業設備和汽車領域實現節能和小型化。

羅姆SiC MOSFET評估板"P02SCT3040KR-EVK-001",該評估板中配置有非常適用于驅動SiC元器件的羅姆柵極驅動器IC(BM6101FV-C)、各種電源IC及分立產品,可為您提供輕松進行元器件評估的解決方案!
P02SCT3040KR-EVK-001
羅姆SCT3040KR(1200V 40mΩ TO-247-4L)評估用
通過改變電路乘數器,可用來評估羅姆其他SiC-MOSFET
除了TO-247-4L外,還有TO-247-3L的通孔,可在同一評估板上進行對比評估
單一電源(+12V工作)
可進行最大150A的雙脈沖測試,最大開關工作頻率500kHz
支持各種電源拓撲(Buck, Boost, Half-Bridge)
內置柵極驅動用隔離電源,可通過可變電阻調整(+12V~+23V)
可通過跳線引腳來切換柵極驅動用負偏壓和零偏壓
可防止上下臂同時導通,內置過電流保護功能(DESAT, OCP)


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